Infineon OptiMOS™ 5 IPC50N04S55R8ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Infineon stellt seine neueste 40-V-Leistungs-MOS-Technologie OptiMOSTM6 in einem 5 x 6 mm2 leitungslosen SS08-Gehäuse mit höchster Qualität und Robustheit für Kfz-Anwendungen vor. Ein Portfolio von 16 Produkten (RDSon_max von 0,8 mΩ bis 4,4 mΩ richtet sich an den gesamten Anwendungsbereich von Niedrigleistungsanwendungen wie z. B. Gehäuseanwendungen bis hin zu Hochleistungsanwendungen wie z. B. EPS), das es dem Kunden ermöglicht, das am besten geeignete Produkt für seine Anwendungen zu finden.
All dies ermöglicht das Best-in-Class-Produkt FOM (RDSon x Qg) und die Leistung auf dem Markt. Das neue SS08-Produkt bietet einen Dauerstrom von 120 A, was >25 % höher als der Standard-DPAK bei fast der Hälfte seiner Abmessungsfläche.
Zusätzlich ermöglicht die neue Generation des SS08-Gehäuses überlegene Schaltleistung und EMI-Verhalten aufgrund der sehr niedrigen Gehäuseinduktivität (≈4x geringere Gehäuseinduktivität im Vergleich zu herkömmlichen Gehäusen wie z. B. DPAK, D2PAK) durch den Einsatz der neuen Kupfer-Clip-Gleichkontakttechnologie.

•OptiMOSTM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen
•N-Kanal – Verstärkungsmodus – Normalpegel
•AEC Q101 qualifiziert
•MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
•175 °C Betriebstemperatur
•Green Product (RoHS-konform)
•100 % Lawinengeprüft