Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 90 A 71 W, 3-Pin IPD90N04S4L04ATMA1 TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 15 Stück)*

5,565 €

(ohne MwSt.)

6,615 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 14.400 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
15 - 600,371 €5,57 €
75 - 1350,353 €5,30 €
150 - 3600,338 €5,07 €
375 - 7350,323 €4,85 €
750 +0,301 €4,52 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
229-1837
Herst. Teile-Nr.:
IPD90N04S4L04ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

71W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.3mm

Breite

6.22 mm

Länge

6.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon n-Kanal-Leistungs-MOSFET für den normalen Betrieb, der für Kfz-Anwendungen verwendet wird. Er hat die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz. Es handelt sich um robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

Verwandte Links