Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 90 A 137 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
229-1839
Herst. Teile-Nr.:
IPD90P03P404ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

100nC

Maximale Verlustleistung Pd

137W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Höhe

2.3mm

Länge

6.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon n-Kanal-Leistungs-MOSFET für den normalen Betrieb, der für Kfz-Anwendungen verwendet wird. Er hat die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungsverluste für höchste Wärmeeffizienz. Es handelt sich um robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

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