Infineon Dualer N-Kanal mit normalem Pegel IPG Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 20 A 54 W, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 229-1840
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N04S409ATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*
2.520,00 €
(ohne MwSt.)
3.000,00 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,504 € | 2.520,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 229-1840
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N04S409ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Serie | IPG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 54W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Dualer N-Kanal mit normalem Pegel | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Breite | 5.9 mm | |
| Länge | 5.15mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Serie IPG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 54W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Dualer N-Kanal mit normalem Pegel | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Breite 5.9 mm | ||
Länge 5.15mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Zweikanal-MOSFET mit Normalpegel von Infineon hat die gleiche thermische und elektrische Leistung wie ein DPAK mit der gleichen Matrizengröße. Das freiliegende Pad bietet eine ausgezeichnete Wärmeübertragung. Es handelt sich um zwei n-Kanal in einem Gehäuse mit 2 isolierten Kabelrahmen.
Es ist RoHS-konform und gemäß AEC Q101 zugelassen
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
Verwandte Links
- Infineon Dualer N-Kanal mit normalem Pegel IPG Typ N-Kanal 2 8-Pin
- Infineon Dualer N-Kanal mit normalem Pegel IPG20N06S4-15A Typ N-Kanal 2 MOSFET 60 V Zweifach N / 20 A 50 W, 8-Pin
- Infineon IPG Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 20 A TDSON
- Infineon Zweifach N IPG Typ N-Kanal 2 Leistungs-Transistor 40 V Erweiterung / 20 A 41 W, 8-Pin SuperSO
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung
- Infineon Doppelt IPG Typ N-Kanal 2 8-Pin SuperSO
- Infineon XHP Dual N-Kanal Dual8 kA Einschub
- Infineon XHP Dual N-Kanal Dual2 kA Einschub
