onsemi SUPERFET III N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 13 A 106 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme 5 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

10,11 €

(ohne MwSt.)

12,03 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Begrenzter Lagerbestand
  • 680 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
5 +2,022 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
229-6451P
Herst. Teile-Nr.:
NTD250N65S3H
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

SUPERFET III

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

250mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Maximale Verlustleistung Pd

106W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

6.22mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.39mm

Automobilstandard

Nein

Die on Semiconductor SUPER FET-Serie ist ein brandneuer Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET, der Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.

Niedrige effektive Ausgangskapazität

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur

Bleifrei

RoHS-konform

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.