- RS Best.-Nr.:
- 229-6475
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFSC010N08M7
- Marke:
- onsemi
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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
5 - 5 | 1,358 € | 6,79 € |
10 - 95 | 1,22 € | 6,10 € |
100 - 245 | 0,958 € | 4,79 € |
250 - 495 | 0,784 € | 3,92 € |
500 + | 0,744 € | 3,72 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 229-6475
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFSC010N08M7
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der on Semiconductor N-Kanal-MOSFET wird mit einem Advanced Power Trench Prozess hergestellt. Fortschritte in Silizium- und Dual-Cooler-Gehäusetechnologien wurden kombiniert, um den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand zu bieten und gleichzeitig eine ausgezeichnete Schaltleistung durch extrem niedrigen Abzweigwiderstand zum Umgebungstemperaturwiderstand zu gewährleisten.
Verbesserte thermische Eigenschaften des Gehäuses
Verringert Leitungsverlust
Verbesserte Systemeffizienz
Das Gehäusematerial erfüllt die neuesten Anforderungen
Verringert Leitungsverlust
Verbesserte Systemeffizienz
Das Gehäusematerial erfüllt die neuesten Anforderungen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 61 A |
Drain-Source-Spannung max. | 80 V |
Gehäusegröße | DFN |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,01 Ω |
Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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