onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 162 A 107 W, 8-Pin WDFN

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
229-6507
Herst. Teile-Nr.:
NVTFS4C02NWFTAG
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

162A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

WDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.25mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

107W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.15mm

Breite

0.8 mm

Höhe

3.15mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor-MOSFET für industrielle Anwendungen in einem 8 x 8 mm flachen Kabelgehäuse für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung. Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion. Er wird in der Batterie des Umkehrhebels, in Schaltnetzteilen und in Netzschaltern verwendet.

Kompaktes Design

Minimierung von Leitungsverlusten

Minimiert Treiberverluste

Verbesserte optische Inspektion

Verwandte Links