STMicroelectronics SCTW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 60 A 388 W, 4-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 230-0094P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA60N120G2-4
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCTW | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 52mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 388W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCTW | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 52mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 388W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 21.1mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics SCTWA60N ist ein Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Gerät, das mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt wurde. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität
Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz