onsemi SUPERFET V N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A, 3-Pin TO-247

Der SuperFET-V-MOSFET der on Semiconductor Serie ist die 5. Generation von Hochspannungs-Super-Junction (SJ) MOSFET-Familie von on Semiconductor. SuperFET V bietet erstklassige FOMs (RDS(ON)·QG und RDS(ON)·EOSS) zur Verbesserung nicht nur der Schwerlast, sondern auch der geringen Lasteffizienz. Die Serie 600 V SUPERET V bietet Designvorteile durch geringere Leitungs- und Schaltverluste, während sie extreme MOSFET-DVDs/dt-Nennwerte bei 120 V/ns und hohe Gehäusedioden-DVDs/dt-Nennwerte bei 50 V/ns unterstützt. Daher kombiniert die SuperFET V MOSFET Easy Drive-Serie eine ausgezeichnete Schaltleistung ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit für harte und weiche Schalttopologien. Es hilft bei der Bewältigung von EMI-Problemen und ermöglicht eine einfachere Designimplementierung mit ausgezeichneter Systemeffizienz.

Ultraniedrige Gatterladung (typ. QG = 48 nC)
Geringe Schaltverluste
Niedrige zeitbezogene Ausgangskapazität (typ. COSS(tr.)= 642 pF)
Geringe Schaltverluste
Optimierte Kapazität
Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation
650 V @ TJ = 150 °C
Typ. RDS(on) = 79,2 m Ω
100 % Lawinengeprüft
RoHS-kompatibel
Interner Gate-Widerstand: 6,9 Ω