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    Infineon CoolSiC IMW65R057M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 35 A, 3-Pin TO-247

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    RS Best.-Nr.:
    232-0392
    Herst. Teile-Nr.:
    IMW65R057M1HXKSA1
    Marke:
    Infineon

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.35 A
    Drain-Source-Spannung max.650 V
    GehäusegrößeTO-247
    SerieCoolSiC
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.0,074 Ω
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.5.7V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSilicon

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