Infineon CoolGaN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A, 8-Pin LSON

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RS Best.-Nr.:
232-0418
Herst. Teile-Nr.:
IGLD60R190D1AUMA3
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

CoolGaN

Gehäusegröße

LSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 600-V-Anreicherungstransistor bietet eine schnelle Ein- und Ausschaltgeschwindigkeit, minimale Schaltverluste und ermöglicht einfache Halbbrückentopologien mit dem höchsten Wirkungsgrad. Die Gallium-Nitrid-CoolGaN 600V-Serie ist nach einer umfassenden GaN-maßgeschneiderten Qualifikation qualifiziert, die weit über die vorhandenen Standards hinausgeht. Es verbessert die Systemeffizienz, verbessert die Leistungsdichte und ermöglicht eine höhere Betriebsfrequenz.

Ultraschnelles Schalten

Keine Rückgewinnungsladung

Geeignet für Rückleitung

Niedrige Gate-Ladung, niedrige Ausgangsladung

Überlegene Kommutierungsbeständigkeit

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