Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 97 A 96 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 232-6767P
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC0806NLSATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 97A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.1mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 49nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.2mm | |
| Höhe | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 97A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.1mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.2mm | ||
Höhe 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der OptiMOS PD Leistungs-MOSFET von Infineon 100 V wurde für USB-PD- und Adapteranwendungen entwickelt. Das SuperSO8-Gehäuse bietet eine schnelle Inbetriebnahme und optimierte Vorlaufzeiten. OptiMOS-Niederspannungs-MOSFETs für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Reduzierung der BOM-Kosten führt. OptiMOS PD bietet hochwertige Produkte in kompakten, leichten Gehäusen.
Logikpegel-Verfügbarkeit
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
100%ig auf Stoßentladung geprüft