STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 1200 V Erweiterung / 60 A, 7-Pin H2PAK-7

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
233-0471P
Herst. Teile-Nr.:
SCTH60N120G2-7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

H2PAK-7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.052Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Das Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen bemerkenswert niedrigen Einschaltwiderstand pro Einheitsfläche und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlusts ist fast unabhängig von der Anschlusstemperatur.

Sehr schnelle und robuste innere Gehäuse-Diode.

Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität

Sensor-Stift für erhöhte Effizienz

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