STMicroelectronics SCTWA35N65G2V-4 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 240 W, 4-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 233-0473P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTWA35N65G2V-4
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|
| 5 - 9 | 12,82 € |
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| 25 - 49 | 12,16 € |
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- SCTWA35N65G2V-4
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA35N65G2V-4 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 67mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 3.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 73nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 240W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Länge | 20.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 21.1 mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCTWA35N65G2V-4 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 67mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 3.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 240W | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Länge 20.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 21.1 mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Geringe Kapazitäten
Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz