STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 547 W, 4-Pin Hip-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*

359,40 €

(ohne MwSt.)

427,70 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 358 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
10 +35,94 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
233-0475P
Herst. Teile-Nr.:
SCTWA70N120G2V-4
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

91A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

Hip-247

Serie

SCTWA70N120G2V-4

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

30mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

2.7V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

150nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Maximale Verlustleistung Pd

547W

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5mm

Länge

34.8mm

Breite

15.6mm

Automobilstandard

Nein

Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität

Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 200 °C)

Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.