STMicroelectronics SCTW70N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 91 A 547 W, 3-Pin Hip-247

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Herst. Teile-Nr.:
SCTW70N120G2V
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

91A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Serie

SCTW70N

Gehäusegröße

Hip-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

21mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

547W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Durchlassspannung Vf

2.7V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Höhe

20.15mm

Länge

15.75mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist. Die hervorragenden thermischen Eigenschaften des Sic-Materials ermöglichen es Entwicklern, eine nach Industriestandard umrissende Bauweise mit deutlich verbesserter Wärmekapazität zu verwenden. Diese Eigenschaften machen das Gerät perfekt geeignet für Anwendungen mit hoher Effizienz und hoher Leistungsdichte.

Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 200 °C)

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazitäten

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