STMicroelectronics STB37N60 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 12 A 250 W, 3-Pin H2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 233-3041P
- Herst. Teile-Nr.:
- STH12N120K5-2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | STB37N60 | |
| Gehäusegröße | H2PAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 690mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44.2nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Breite | 15.8 mm | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie STB37N60 | ||
Gehäusegröße H2PAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 690mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44.2nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Breite 15.8 mm | ||
Höhe 4.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die STMicroelectronics-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit sehr hoher Spannung wurden mit der Mdmesh TM K5-Technologie auf der Basis einer innovativen proprietären vertikalen Struktur entwickelt. Das Ergebnis ist eine drastische Reduzierung des Betriebswiderstands und eine extrem niedrige Gate-Ladung für Anwendungen, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.
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