Infineon IPTG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 77 A 375 W, 8-Pin HSOG

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1800 Stück)*

5.770,80 €

(ohne MwSt.)

6.867,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1.800 Einheit(en) mit Versand ab 21. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1800 +3,206 €5.770,80 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
233-4390
Herst. Teile-Nr.:
IPTG210N25NM3FDATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

77A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

HSOG

Serie

IPTG

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

21mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

65nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.1mm

Breite

8.75 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.4mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET IPTG210N25NM3FD kommt in einem verbesserten TO-Leid-Gehäuse mit Gullwing-Leitungen. Mit einer kompatiblen Abmessung bis TO-Leadless ermöglicht TOLG eine ausgezeichnete elektrische Leistung im Vergleich zu D2PAK 7-polig mit ∼60 Prozent Platzersparnis auf der Platine. Dieses neue Gehäuse in OptiMOS 3 - 250 V bietet einen sehr niedrigen RDS(on) und ist für hohe Ströme von 300 A optimiert Die Flexibilität von Gullwing-Leitungen, das OptiMOS-TOLG-Gehäuse, zeigt eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit der Lötverbindung auf der Al-IMS-Platine.

Hoher Wirkungsgrad und geringere elektromagnetische Störungen

Hohe Leistungsfähigkeit

Verwandte Links