onsemi NTH N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 1.2 kV / 68 A 325 W, 4-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 233-6854P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4L022N120M3S
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 68A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Serie | NTH | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 30mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -0.45V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 325W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 151nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 41.36mm | |
| Breite | 5.2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 15.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 68A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Serie NTH | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 30mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -0.45V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 325W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 151nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 41.36mm | ||
Breite 5.2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 15.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-4L
Der on Semiconductor NTH4L022N120M3S ist ein Einkanal-MOSFET mit SiC-Leistung. Es ist in einem TO247-4L-Gehäuse erhältlich. Mit einer Drain-to-Source-Spannung von 1200 V und einem durchgehenden Drain-Strom von 68 A wird der NTH4L022N120M3S in Anwendungen wie Solarinvertern, Ladestationen für Elektrofahrzeuge, USV (unterbrechungsfreie Stromversorgungen), Energiespeichersysteme, SMPS (Schaltnetzteile) eingesetzt.
Der typische RDS(on) für dieses Gerät beträgt 22 mFx mit VGS von 18 V.
Das Gerät bietet geringe Schaltverluste
Es ist zu 100 % lawinengeprüft