Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 40 A 52 W, 8-Pin TSDSON-8 FL
- RS Best.-Nr.:
- 234-6991
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ0803LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
7,44 €
(ohne MwSt.)
8,855 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 75 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Nur noch Restbestände
- Letzte 4.995 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,488 € | 7,44 € |
| 50 - 120 | 1,414 € | 7,07 € |
| 125 - 245 | 1,324 € | 6,62 € |
| 250 - 495 | 1,236 € | 6,18 € |
| 500 + | 1,144 € | 5,72 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 234-6991
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ0803LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | BSZ | |
| Gehäusegröße | TSDSON-8 FL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20.8mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Länge | 5.35mm | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie BSZ | ||
Gehäusegröße TSDSON-8 FL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20.8mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.2mm | ||
Länge 5.35mm | ||
Breite 6.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Infineon OptiMOSTM PD richtet sich an USB-PD- und Adapteranwendungen. Das Produkt bietet einen schnellen Aufwärtsschritt und optimierte Leitzeiten. Die Niederspannungs-MOSFETs OptiMOSTM für die Stromversorgung ermöglichen Designs mit weniger Teilen, was zu einer Senkung der BOM-Kosten führt, und bieten Qualitätsprodukte in kompakten, leichten Gehäusen. Er verfügt über einen maximalen durchgehenden Ablassstrom von 40 A und eine maximale Ablassquellenspannung von 100 V. Er ist ideal für Hochfrequenzschalten und für Ladegeräte optimiert.
Logikpegelverfügbarkeit
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on)
Niedrige Gate-, Ausgangs- und umgekehrte Wiederherstellungsladung
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
100 % Avalanche-getestet
Pb-freie Bleiplattierung
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
RoHS-Konformität
Erhältlich in 2 kleinen Standardgehäusen
Verwandte Links
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin TSDSON-8 FL
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin TSDSON-8 FL
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin TSDSON-8 FL
- Infineon BSZ Typ N-Kanal MOSFET N 30 V / 61 A, 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Typ N-Kanal 8-Pin TSDSON