STMicroelectronics STH200 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 340 W, 3-Pin H2PAK-2
- RS Best.-Nr.:
- 234-8896P
- Herst. Teile-Nr.:
- STH200N10WF7-2
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
55,60 €
(ohne MwSt.)
66,20 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 99 | 5,56 € |
| 100 - 249 | 5,45 € |
| 250 - 499 | 5,34 € |
| 500 + | 5,23 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 234-8896P
- Herst. Teile-Nr.:
- STH200N10WF7-2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | H2PAK-2 | |
| Serie | STH200 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 93nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 340W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße H2PAK-2 | ||
Serie STH200 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 93nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 340W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics nutzt die STripFET F7-Technologie mit einer verbesserten Trench-Gate-Struktur, die die Beständigkeit im linearen Modus erhöht und einen breiteren SOA in Kombination mit einem sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand bietet. Der resultierende MOSFET sorgt für den besten Kompromiss zwischen Linearmodus und Schaltvorgängen.
Klassenbeste SOA-Fähigkeit
Hohe Stromstoßfestigkeit
Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand