STMicroelectronics STH200 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 340 W, 3-Pin H2PAK-2

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RS Best.-Nr.:
234-8896P
Herst. Teile-Nr.:
STH200N10WF7-2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

H2PAK-2

Serie

STH200

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

93nC

Maximale Verlustleistung Pd

340W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics nutzt die STripFET F7-Technologie mit einer verbesserten Trench-Gate-Struktur, die die Beständigkeit im linearen Modus erhöht und einen breiteren SOA in Kombination mit einem sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand bietet. Der resultierende MOSFET sorgt für den besten Kompromiss zwischen Linearmodus und Schaltvorgängen.

Klassenbeste SOA-Fähigkeit

Hohe Stromstoßfestigkeit

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

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