ROHM QH8KB5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 4.5 A 1.1 W, 8-Pin TSMT-8

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
235-2663
Herst. Teile-Nr.:
QH8KB5TCR
Marke:
ROHM
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

QH8KB5

Gehäusegröße

TSMT-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

44mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.1W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.1mm

Höhe

2.9mm

Breite

0.85 mm

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Dual N-Kanal-MOSFET unterstützt 40 V Spannungsfestigkeit. Dies ist für 24-V-Eingangsgeräte wie Fabrikautomationsgeräte und Motoren an Basisstationen ausgelegt. Dieses Produkt besteht aus einem N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand, der um 58 % reduziert wird. Dies trägt zu einem geringen Stromverbrauch verschiedener Geräte bei.

Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse

Bleifreie Leitungsbeschichtung

RoHS-konform

Halogenfrei

Verwandte Links