ROHM QH8KC6 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 5.5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT-8

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RS Best.-Nr.:
235-2669
Herst. Teile-Nr.:
QH8KC6TCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Serie

QH8KC6

Kabelkanaltyp

N

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60 V

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

5.5 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

1.5 W

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

TSMT-8

Automobilstandard

Nein

Durchlassspannung (Vf)

1.2 V

Höhe

2.9 mm

Länge

3.1 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

30 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Normen/Zulassungen

No

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

7.6 nC

Breite

850 μm

The ROHM dual N channel MOSFET which supports 60V withstand voltage. This is designed for 24V input equipment's such as factory automation equipment's, and motors mounted on base stations. This product consists of a low on-resistance N channel MOSFET which is reduced 58%. This contributes to low power consumption of various devices.

Small surface mount package

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen Free

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