ROHM N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 500 mA 2 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 235-2675
- Herst. Teile-Nr.:
- R6000ENHTB1
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 600 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 500 mA | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 2 W | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Höhe | 6.3 mm | |
| Länge | 5.2 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 8.8 Ω | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 4.3 nC | |
| Breite | 1.75 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 600 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 500 mA | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 2 W | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Automobilstandard Nein | ||
Höhe 6.3 mm | ||
Länge 5.2 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 8.8 Ω | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 4.3 nC | ||
Breite 1.75 mm | ||
The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use. This series products achieve superior performance for noise-sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.
Low on-resistance
Fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating
RoHS compliant