ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 4 A 58 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
235-2683
Herst. Teile-Nr.:
R6504KND3TL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.05Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

58W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.4 mm

Länge

6.4mm

Höhe

10.4mm

Automobilstandard

Nein

Die Rohm R6xxxKNx-Serie sind Hochgeschwindigkeits-Schaltprodukte, Super Junction MOSFET, die einen Schwerpunkt auf hohem Wirkungsgrad legen. Sie erreichen einen höheren Wirkungsgrad durch Hochgeschwindigkeitsschalten. Hochgeschwindigkeitsschalten ermöglicht es, zu einer höheren Effizienz in PFC- und LLC-Stromkreisen beizutragen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit

Parallele Nutzung ist einfach

Pb-frei Beschichtung

RoHS-konform

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