ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 78 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
235-2686
Herst. Teile-Nr.:
R6507END3TL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

665mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

78W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.4 mm

Länge

6.4mm

Automobilstandard

Nein

Die Rohm R6xxxENx-Serie umfasst rauscharme Produkte, Super Junction MOSFET, die einen Schwerpunkt auf Benutzerfreundlichkeit legen. Diese Produkte der Serie erreichen eine überlegene Leistung für rauschempfindliche Anwendungen zur Geräuschreduzierung, wie z. B. Audio- und Beleuchtungsgeräte.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Parallele Nutzung ist einfach

Pb-frei Beschichtung

RoHS-konform

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