ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A 94 W, 3-Pin TO-252

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235-2690P
Herst. Teile-Nr.:
R6509END3TL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

585mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

94W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.4mm

Länge

6.4mm

Automobilstandard

Nein

Die Rohm R6xxxENx-Serie umfasst rauscharme Produkte, Super Junction MOSFET, die einen Schwerpunkt auf Benutzerfreundlichkeit legen. Diese Produkte der Serie erreichen eine überlegene Leistung für rauschempfindliche Anwendungen zur Geräuschreduzierung, wie z. B. Audio- und Beleuchtungsgeräte.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Parallele Nutzung ist einfach

Pb-frei Beschichtung

RoHS-konform

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