ROHM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 22 A 165 W, 3-Pin TO-247N
- RS Best.-Nr.:
- 235-2795
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT2160KEGC11
- Marke:
- ROHM
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- SCT2160KEGC11
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 160mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 165W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 62nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 160mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 165W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 62nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET der Serie Rohm SCT ist für Solarwechselrichter, DC/DC-Wandler, Induktionsheizung und Motorantriebe geeignet. Er verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.
Schnelle Rückwärtswiederherstellung
Einfach zu parallel
Einfach anzutreiben
Bleifreie Leitungsbeschichtung
RoHS-konform
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