Toshiba Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 12 V / 6 A 2 W, 3-Pin SOT-23

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236-3569
Herst. Teile-Nr.:
SSM3J338R,LF(T
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

26.3mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.75V

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

2.9 mm

Länge

2.4mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.8mm

Automobilstandard

Nein

Der Toshiba Feldeffekttransistor besteht aus Siliziummaterial und hat P-Kanal-MOS-Typ. Er wird hauptsächlich in Stromüberwachungsschaltanwendungen eingesetzt.

Lagertemperaturbereich: -55 bis 150 °C.

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