Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 3.5 A 2 W, 3-Pin SSM3K329R,LF(T SOT-23

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RS Best.-Nr.:
236-3575P
Herst. Teile-Nr.:
SSM3K329R,LF(T
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

289mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.4mm

Breite

2.9 mm

Höhe

0.8mm

Automobilstandard

Nein

Der Toshiba Feldeffekttransistor besteht aus Siliziummaterial und hat einen N-Kanal-MOS-Typ. Er wird hauptsächlich in Stromüberwachungsschaltungen und Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen eingesetzt.

Lagertemperaturbereich: -55 bis 150 °C.

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