Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 6 A 2.4 W, 3-Pin SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
SSM3K341R,LF(T
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

43mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.3nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.4W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-0.9V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.8mm

Länge

2.4mm

Automobilstandard

Nein

Der Toshiba Feldeffekttransistor besteht aus Siliziummaterial und hat einen N-Kanal-MOS-Typ. Er wird hauptsächlich in Stromüberwachungsschaltanwendungen eingesetzt.

Lagertemperaturbereich: -55 bis 150 °C.

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