Toshiba N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 300 mA 500 mW, 6-Pin US6
- RS Best.-Nr.:
- 236-3582P
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM6N7002KFU,LF(T
- Marke:
- Toshiba
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- SSM6N7002KFU,LF(T
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- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 300mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | US6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.39nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -0.79V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 900μm | |
| Länge | 2.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 300mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße US6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.39nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -0.79V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 900μm | ||
Länge 2.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Toshiba Feldeffekttransistor besteht aus Siliziummaterial und hat einen N-Kanal-MOS-Typ. Er wird hauptsächlich in Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen eingesetzt.
Lagertemperaturbereich: -55 bis 150 °C.