Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 700 V / 15 A, 3-Pin TO-263

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
236-3660P
Herst. Teile-Nr.:
IPB65R155CFD7ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

155mΩ

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS Super Junction MOSFET mit integrierter, schneller Gehäusediode ist die perfekte Wahl für resonante Hochleistungs-Topologien. Er ist ideal für industrielle Anwendungen wie Server-, Telekommunikations-, Solar- und EV-Ladestationen, Dies ermöglicht erhebliche Effizienzverbesserungen im Vergleich zur Konkurrenz. Er hat einen Abflussstrom von 12 A.

Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung

Zusätzliche Sicherheitsmarge für Designs mit erhöhter Busspannung

Ermöglicht eine erhöhte Leistungsdichte

Hervorragende Lichtlasteffizienz in industriellen SMPS-Anwendungen

Verbesserte Volllast-Effizienz in industriellen SMPS-Anwendungen

Preiswettbewerbsfähigkeit im Vergleich zu alternativen Angeboten auf dem Markt

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