Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 700 V / 19 A 98 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 236-3676
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R125CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
9,27 €
(ohne MwSt.)
11,032 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 226 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,635 € | 9,27 € |
| 10 - 18 | 4,13 € | 8,26 € |
| 20 - 48 | 3,85 € | 7,70 € |
| 50 - 98 | 3,575 € | 7,15 € |
| 100 + | 3,285 € | 6,57 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 236-3676
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R125CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 98W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 21.5mm | |
| Länge | 16.3mm | |
| Breite | 5.3 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 98W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 21.5mm | ||
Länge 16.3mm | ||
Breite 5.3 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS Super Junction MOSFET mit integrierter, schneller Gehäusediode ist die perfekte Wahl für resonante Hochleistungs-Topologien. Er ist ideal für industrielle Anwendungen wie Server-, Telekommunikations-, Solar- und EV-Ladestationen, Dies ermöglicht erhebliche Effizienzverbesserungen im Vergleich zur Konkurrenz. Er hat einen Abflussstrom von 15 A.
Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung
Zusätzliche Sicherheitsmarge für Designs mit erhöhter Busspannung
Ermöglicht eine erhöhte Leistungsdichte
Hervorragende Lichtlasteffizienz in industriellen SMPS-Anwendungen
Verbesserte Volllast-Effizienz in industriellen SMPS-Anwendungen
Preiswettbewerbsfähigkeit im Vergleich zu alternativen Angeboten auf dem Markt
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin IPW65R125CFD7XKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin IPW65R155CFD7XKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS CFD N-Kanal7 A 83 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS CFD N-Kanal4 A 104 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin IPW65R090CFD7XKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin IPW65R110CFD7XKSA1 TO-247
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal 4-Pin TO-247