Microchip VP0106 VP0106N3-G P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 250 mA, 3-Pin TO-92

RS Best.-Nr.:: 236-8962P
Herst. Teile-Nr.:: VP0106N3-G
Marke:: Microchip

Microchip VP0106 VP0106N3-G P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 250 mA, 3-Pin TO-92

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RS Best.-Nr.:: 236-8962P
Herst. Teile-Nr.:: VP0106N3-G
Marke:: Microchip

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Datasheet - VP0106N3-G

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Der Microchip Anreicherungstransistor im Ruhezustand verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und den bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess von Supertex. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS FETs sind ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen geeignet, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	250 mA
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Serie	VP0106
Gehäusegröße	TO-92
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	8 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip	1