Vishay SIB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 6 V / 6 A 1 W SIB4316EDK-T1-GE3 PowerPAK SC-75
- RS Best.-Nr.:
- 239-5373
- Herst. Teile-Nr.:
- SIB4316EDK-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 6V | |
| Serie | SIB | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SC-75 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.057Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±12 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 6V | ||
Serie SIB | ||
Gehäusegröße PowerPAK SC-75 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.057Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±12 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay hat einen Ablassstrom von 6 A. Er wird für Lastschalter, DC/DC-Wandler, Stromüberwachung verwendet.
Thermisch verbessertes PowerPAK® SC-70-Gehäuse
Kleine Abmessungen
Niedriger Widerstand
Typischer ESD-Schutz: 1500 V (HBM)
100 % Rg geprüft
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