Vishay Typ N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 34 A, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Best.-Nr.:
- 239-5378
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK065N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 239-5378
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHK065N60E-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 34A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 10 x 12 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 34A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 10 x 12 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Der Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay hat einen Ablaufstrom von 34 A. Er wird für Server- und Telekommunikationsnetzteile, Schaltnetzteile (SMPS), Leistungsfaktorkorrekturnetzteile (PFC) verwendet.
Technologie der Serie E der 4. Generation
Low figure of merit (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste
Lavinen-Energieeinstufung (UIS)
