Vishay SiR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 116 A 92.5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

2.172,00 €

(ohne MwSt.)

2.586,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 3.000 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,724 €2.172,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
239-5386
Herst. Teile-Nr.:
SiR582DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

116A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0034Ω

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

33.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

92.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

5.15 mm

Länge

6.15mm

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET TrenchFET von Vishay hat einen Ablassstrom von 116 A. Er wird in synchrone Gleichrichtung, Primärseitigen Schaltern, DC/DC-Wandlern und Motorantriebsschaltern eingesetzt.

Sehr niedriger RDS x Qg-Fat-of-Merit (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Qoss FOM

100 % Rg und UIS-geprüft

Verwandte Links