Vishay SiR N-Kanal, Oberfläche MOSFET 171 V / 171 A 132 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 239-5395
- Herst. Teile-Nr.:
- SiRS700DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SiRS700DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Serie | SiR | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 171 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 171 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 132 W | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Länge | 6 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.0035 Ω | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 86 nC | |
| Breite | 5 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Serie SiR | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 171 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 171 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 132 W | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Länge 6 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.0035 Ω | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 86 nC | ||
Breite 5 mm | ||
The Vishay TrenchFET N channel power MOSFET has drain current of 171 A. It is used in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converter and motor drive switch.
Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)
Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM
100 % Rg and UIS tested
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