Microchip TN5325 TN5325K1-G N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 150 mA, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 239-5618P
- Herst. Teile-Nr.:
- TN5325K1-G
- Marke:
- Microchip
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Preis pro Stück (in Tray)
0,51 €
(ohne MwSt.)
0,61 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 75 | 0,51 € |
| 100 - 225 | 0,477 € |
| 250 - 975 | 0,468 € |
| 1000 + | 0,458 € |
- RS Best.-Nr.:
- 239-5618P
- Herst. Teile-Nr.:
- TN5325K1-G
- Marke:
- Microchip
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Transistor der Microchip TN5325-Serie mit niedrigem Schwellenwert, Anreicherungstyp (normalerweise aus) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist.
Niedriger Schwellenwert von max. 2 V
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Anstiegszeit von 15 ns
Ausschaltverzögerung von 25 ns
Abfallzeit von 25 ns
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
Anstiegszeit von 15 ns
Ausschaltverzögerung von 25 ns
Abfallzeit von 25 ns
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 150 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 250 V |
| Serie | TN5325 |
| Gehäusegröße | TO-92 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Silicon |