Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 214 A 197 W, 8-Pin SQS405CENW-T1_GE3 PowerPAK 1212-8 W
- RS Best.-Nr.:
- 239-8685
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS405CENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
16,925 €
(ohne MwSt.)
20,15 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 3.025 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 0,677 € | 16,93 € |
| 250 - 600 | 0,636 € | 15,90 € |
| 625 - 1225 | 0,576 € | 14,40 € |
| 1250 - 2475 | 0,542 € | 13,55 € |
| 2500 + | 0,508 € | 12,70 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 239-8685
- Herst. Teile-Nr.:
- SQS405CENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 214A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 W | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.02Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 197W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 214A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 W | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.02Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 197W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay SQS ist ein Kfz-P-Kanal-MOSFET, der bei 40 V und 175 °C arbeitet. Dieser MOSFET wird für hohe Leistungsdichte verwendet.
AEC-Q101-qualifiziert
UIS-geprüft
Verwandte Links
- Vishay Typ P-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
- Vishay Typ N-Kanal 8-Pin SQS140ENW-T1_GE3 PowerPAK 1212-8SLW
- Vishay Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- Vishay SQS Typ N-Kanal 8-Pin SQS140ELNW-T1_GE3 PowerPAK
- Vishay Typ N-Kanal 8-Pin SQJQ184E-T1_GE3 PowerPAK (8x8LR)
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 8 A SQS460EN-T1_GE3 PowerPAK 1212-8
- Vishay SQS Typ N-Kanal 8-Pin SQS460CENW-T1_GE3 PowerPAK 1212-8
- Vishay Typ N-Kanal 8-Pin SQS180ELNW-T1_GE3 PowerPAK 1212-8