Nexperia Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V / 18.2 A 32 W, 8-Pin LFPAK56D

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RS Best.-Nr.:
240-1819
Herst. Teile-Nr.:
BUK9K25-40RAX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

LFPAK56D

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

29mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

32W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-15 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.3nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Nexperia-N-Kanal-MOSFET mit zwei Logikpegel-Transistor in einem LFPAK56D-Gehäuse, mit anwendungsspezifischer (ASFET) wiederholter Lawinensilizium-Technologie. Dieses Produkt wurde gemäß AEC-Q101 für den Einsatz in sich wiederholenden Lawinenanwendungen entwickelt und zugelassen.

Vollständig für die Automobilindustrie zugelassen gemäß AEC-Q101 bei 175 °C.

Wiederholte Avalanche bis 30 °C Tj.-Anstieg

Geprüft bis 1 Bn Lawinenereignisse

LFPAK-Kupferclip-Gehäusetechnologie

Hohe Robustheit und Zuverlässigkeit

Gullwing-Anschlussleitungen für hohe Herstellbarkeit und AOI

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