onsemi NTHL N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V / 58 A 117 W, 5-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 241-0744P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL045N065SC1
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*
112,30 €
(ohne MwSt.)
133,60 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 305 Einheit(en) mit Versand ab 30. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 99 | 11,23 € |
| 100 + | 9,74 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 241-0744P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL045N065SC1
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | NTHL | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 105nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 117W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie NTHL | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 105nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 117W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
Der N-Kanal-Siliziumkarbid-MOSFET von ON Semiconductor mit 650 V, 42 mΩ. Der Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand und die kompakte Chipgröße für niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Folglich sind die Systemvorteile höchster Wirkungsgrad, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Hohe Sperrtemperatur
Hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität
Max. RDS(on) = 50 mΩ bei Vgs = 18 V, Id = 66 A