ROHM RF4L Typ N-Kanal MOSFET N 60 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin HUML2020L8
- RS Best.-Nr.:
- 241-2265
- Herst. Teile-Nr.:
- RF4L070BGTCR
- Marke:
- ROHM
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- 241-2265
- Herst. Teile-Nr.:
- RF4L070BGTCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | RF4L | |
| Gehäusegröße | HUML2020L8 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie RF4L | ||
Gehäusegröße HUML2020L8 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm RF4G100BG ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und zum Schalten geeignet.
Niedriger Einschaltwiderstand
Hochleistungs-Kleinformteil PackageHUML2020L8
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
Halogenfrei
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