Teile-Nr.

ROHM RF4L Typ N-Kanal MOSFET N 60 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin HUML2020L8

Name: ROHM RF4L Typ N-Kanal MOSFET N 60 V / 10.3 A 81 W, 8-Pin HUML2020L8
Brand: ROHM
SKU: 241-2265P
Availability: BackOrder

Mengenrabatt verfügbar

Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

38,15 €

(ohne MwSt.)

45,40 €

(inkl. MwSt.)

Vorübergehend ausverkauft

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

*Richtpreis

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	10.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	HUML2020L8
	Serie	RF4L
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	7.6nC
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße HUML2020L8
	Serie RF4L
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ
	Channel-Modus N
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.6nC
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Der Rohm RF4G100BG ist ein Leistungs-MOSFET mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und zum Schalten geeignet.

Niedriger Einschaltwiderstand

Hochleistungs-Kleinformteil PackageHUML2020L8

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

Halogenfrei

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.