- RS Best.-Nr.:
- 241-9250
- Herst. Teile-Nr.:
- MSC025SMA120B4
- Marke:
- Microchip
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Preis pro Stück (In einer Stange von 30)
35,368 €
(ohne MwSt.)
42,088 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
---|---|---|
30 - 90 | 35,368 € | 1.061,04 € |
120 + | 32,503 € | 975,09 € |
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- 241-9250
- Herst. Teile-Nr.:
- MSC025SMA120B4
- Marke:
- Microchip
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Produktlinie von Micro semi erhöht die Leistung gegenüber Silizium-MOSFETs und Silizium-IGBT-Lösungen bei gleichzeitiger Senkung der Gesamtkosten für Hochspannungsanwendungen. Das MSC025SMA120B4-Gerät ist ein 1200-V-25-mΩ-Sic-MOSFET in einem TO 247-4-Kabel-Gehäuse mit Quellenerfassung.
Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch niedrigen internen Gate-Widerstand
Stabiler Betrieb bei hoher Sperrtemperatur T von 175 °C,
schnelle und zuverlässige Gehäusediode
Überlegene Avalanche-Robustheit,
RoHS-konform
Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch niedrigen internen Gate-Widerstand
Stabiler Betrieb bei hoher Sperrtemperatur T von 175 °C,
schnelle und zuverlässige Gehäusediode
Überlegene Avalanche-Robustheit,
RoHS-konform
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 73 A |
Drain-Source-Spannung max. | 1200 V |
Gehäusegröße | TO-247-4 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 4 |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | SiC |
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