Microchip MSC025SMA120B4 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 73 A, 4-Pin TO-247-4

Die Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Produktlinie von Micro semi erhöht die Leistung gegenüber Silizium-MOSFETs und Silizium-IGBT-Lösungen bei gleichzeitiger Senkung der Gesamtkosten für Hochspannungsanwendungen. Das MSC025SMA120B4-Gerät ist ein 1200-V-25-mΩ-Sic-MOSFET in einem TO 247-4-Kabel-Gehäuse mit Quellenerfassung.

Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch niedrigen internen Gate-Widerstand
Stabiler Betrieb bei hoher Sperrtemperatur T von 175 °C,
schnelle und zuverlässige Gehäusediode
Überlegene Avalanche-Robustheit,
RoHS-konform