Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
241-9685
Herst. Teile-Nr.:
IAUC100N04S6L014ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IAUC

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon OptiMOS™ 6 Kfz-N-Kanal-MOSFET hat 40 V Ablassquellenspannung (VDS) und 100 A Ablassstrom (ID). Er verfügt über MOS-Technologie im 5 x 6 mm² SS08-Gehäuse ohne Kabel mit höchster Qualitätsstufe und Robustheit für Kfz-Anwendungen.

OptiMOS™ - Leistungs-MOSFET für Automobilanwendungen,

N-Kanal - Verbesserungsmodus - Logikpegel,

AEC Q101-qualifiziert,

MSL1 bis 260°C Spitzenreflow,

175°C Betriebstemperatur,

Green Product (RoHS-konform),

100% Avalanche geprüft

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