Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
241-9693P
Herst. Teile-Nr.:
BSC022N04LSATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

381A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Serie

BSC0

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungstransistor Infineon OptiMOS ist ein N-Kanal-MOSFET, der gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert ist. Er hat einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand.

Optimiert für Hochleistungs-SMPS,

halogenfrei gemäß IEC61249-2-21