Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin TSDSON-8 FL

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RS Best.-Nr.:
241-9887P
Herst. Teile-Nr.:
BSZ0500NSIATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

212A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

BSZ

Gehäusegröße

TSDSON-8 FL

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Leistungstransistor OptiMOS 5 von Infineon ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für Hochleistungs-Abwärtswandler optimiert ist. Er verfügt über eine bleifreie Kabelbeschichtung.

Monolithisch integrierte Schottky-Diode

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

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